背靶材料:
無氧銅(OFC)– 目前常使用的作背靶的材料是無氧銅,因為無氧銅具有良好的導電性和導熱性,而且比較容易機械加工。 如果保養(yǎng)適當,無氧銅背靶可以重復使用10次甚至更多。
鉬(Mo)– 在某些使用條件比較特殊的情況下,如需要進行高溫帖合的條件下,無氧化銅容易被氧化和發(fā)生翹曲,香檳金靶材價格, 所以會使用金屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數(shù)無法與無氧銅匹配,同樣也需要使用金屬鉬作為背靶材料。







濺射靶材ITO靶材的生產(chǎn)工藝?ITO靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種:熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結(jié)法。各種生產(chǎn)工藝及其特點簡介如下:
熱等靜壓法:ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預先成形的胚體,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機械性能好,浙江香檳金靶材,但設(shè)備投入高,生產(chǎn)成本高,產(chǎn)品的缺氧率高。

各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀90年代以來,濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展,極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如,香檳金靶材報價,在半導體集成電路制造過程中,香檳金靶材技術(shù),以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線:在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中,各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展,有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造;在信息存儲產(chǎn)業(yè)中,磁性存儲器的存儲容量不斷增加,新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求,需求數(shù)量也逐年增加。


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